کد کالا: 1030301014 دسته بند‌ی: ,

توضیحات

شرکت سامسونگ که یکی از تولیدکنندگان اصلی حافظه‌هایSSD شناخته شده است، این شرکت اخیرا محصول جدید خود را از سری ۹۷۰ را وارد بازار کرده است. ۹۷۰ پرو می‌تواند به سرعت ۳۵۰۰ مگابایت بر ثانیه در خواندن متوالی اطلاعات و ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه در نوشتن متوالی اطلاعات برسد. سرعت بسیار بالای این محصولات به دلیل استفاده از آخرین فناوری V-NAND و کنترلرهای جدید فینیکس (Phoenix) هستند. Evo 970 می‌تواند از فناوری Intelligent TurboWrite نیز بهره ببرد که ظرفیت بافری معادل با ۷۸ گیگابایت را ایجاد می‌کند. این مقدار باعث می‌شود تا سرعت نوشتن اطلاعات به میزان فوق العاده ای افزایش پیدا کند. میزان افزایش سرعت نوشتن اطلاعات در نسل جدید نسبت به سری ۹۶۰، حدود ۳۰ درصد بهبود پیدا کرده است.

 

 

 

 مشخصات فیزیکی

وزن ۸ گرم
فرم فاکتور M.2 ۲۲۸۰
نوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC

 مشخصات فنی

ظرفیت ۱ ترابایت
نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی ۵۰۰,۰۰۰IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی ۴۵۰,۰۰۰IOPS
کنترل کننده Phoenix

 سایر مشخصات

مقاومت در برابر لرزش بله
مقاومت در برابر شوک بله
میزان مقاومت شوک ۱۵۰۰G/0.5ms
میانگین عمر – MTBF ۱٫۵۰۰٫۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM دارد
دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد
سایر قابلیت ها قابلیت رمز گزاری ۲۵۶ بیتی AES

 مزایا و معایب

مزایا

کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)
قابلیت کد گذاری ۲۵۶ بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal
استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
بهره گیری از تکنولوژی پیشرفته V-NAND با افزایش ۵۰ درصدی ظرفیت نوشتاری (TBW)

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “حافظه اس اس دی سامسونگ مدل ۹۷۰ EVO با ظرفیت ۱ ترابایت”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *