کد کالا: 1030301016 دسته بند‌ی: ,

توضیحات

۹۷۰ PRO نسل بعدی PCle 3*4 NVMe مرتبط با آخرین تکنولوژِی V-NAND سامسونگ و جدیدترین کنترلر فونیکس پیشرفته را برای دستیابی به سرعت خواندن/ نوشتن بی تردید تا ۳,۵۰۰ /۲,۷۰۰ Mb/s باهم ترکیب کرده که تقریبا ۳۰% سریعتر از نسل قبلی SSDهای سامسونگ است.با۹۷۰ PRO بیشترین کارآیی را برای حجم کارهای سنگین PCها و ایستگاه‌های کاری خواهید داشت که با SSD NVMe سامسونگ فراهم شده است. آخرین تکنولوژی V-NAND سامسونگ و کنترلر فونیکس جدید در یک فرم فاکتور فشرده M.2(2280) برای فراتر رفتن از تقاضای علاقمندان تکنولوژی و حرفه ای ها طراحی شده است.

 

 مشخصات فیزیکی

وزن ۸ گرم
فرم فاکتور M.2 ۲۲۸۰
نوع فلش V-NAND 2-bit MLC

 مشخصات فنی

ظرفیت ۵۱۲ گیگابایت
نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی ۳۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی ۲۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی ۳۷۰,۰۰۰IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی ۵۰۰,۰۰۰IOPS
کنترل کننده Phoenix

 سایر مشخصات

مقاومت در برابر لرزش بله
مقاومت در برابر شوک به
میزان مقاومت شوک ۱۵۰۰G/0.5ms
میانگین عمر – MTBF ۱٫۵۰۰٫۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM دارد
دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد
سایر قابلیت ها قابلیت رمز گزاری ۲۵۶ بیتی AES

مزایا

کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
دارای حافظه V-NAND MLC رابط ۲ بیتی
قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)
قابلیت کد گذاری ۲۵۶ بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal
استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
بهره گیری از تکنولوژی پیشرفته V-NAND با افزایش ۵۰ درصدی ظرفیت نوشتاری (TBW)

 

 

 

 

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “حافظه اس اس دی سامسونگ مدل ۹۷۰ pro با ظرفیت ۵۱۲ گیگابایت”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *